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布局物联网应用联电、智原合作55纳米ULP平台【LOL押注平台】

本文摘要:联电和智原合作55纳米超强低功耗制程(55ULP)的PowerSlash基础IP方案,针对无线物联网产品的电池长年寿命市场需求明确提出合适的解决方案,双方期盼这样的合作可以为超强低功耗积体电路设计平台带给新的基准。

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联电和智原合作55纳米超强低功耗制程(55ULP)的PowerSlash基础IP方案,针对无线物联网产品的电池长年寿命市场需求明确提出合适的解决方案,双方期盼这样的合作可以为超强低功耗积体电路设计平台带给新的基准。  联电矽智财研发暨设计提供支援处的莫亚楠资深处处长认为,物联网芯片设计对节约能源解决方案有高度的市场需求,联电获取的55纳米技术平台融合原始的矽智财方案,可以提供支援物联网产品的不间断低功耗拒绝,且借由智原在55ULP平台的PowerSlashIP能更加合适物联网产品的应用于。  智原的PowerSlashIP融合是针对低功耗设计系统、系统单芯片超强低功耗控制元件与FIE3200FPGA平台,可以用于在低功耗积体电路的前端设计或后末端开发阶段;再者,联电的55ULP技术需要提供支援较低的操作者电压及sub-pA装置漏电,为所含钮扣电池的产品获取理想的的晶圆制程。

  智原行销暨投资副总于德洵回应,物联网应用于建构过程中,效能往往受限于低功耗技术,在利用联电55纳米超强低功耗技术和智原PowerSlashIP的加快模式(TurboMode)功能,为物联网应用环境带给新的解决方案,可以顾及效能和省电。  智原PowerSlashIP包括多重临界电压元件库、存储器编译器和电源管理元件,需要充分利用联电55ULP的优势在0.81V~1.32V广域电压下运作;此外,新的加快模式功能可以有效地升至性能曲线,协助MCU核心于超过2倍效能,在完全相同额定时脉下增加大约40%的动态功耗。


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